赛普拉斯代理256Kbit串行FRAM存储芯片FM25V02A
功能概述FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。
由于具有这些特性，因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。
作为硬件替代时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线，从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范围内，该设备规范得到保证。
特性
■256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为32K×8
❐高耐久性：100万亿（1014）次的读/写操作
❐151年的数据保留时间
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■非常快的串行外设接口（SPI）
❐频率高达40MHz
❐串行闪存和EEPROM的硬件直接替代
❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
■精密的写入保护方案
❐使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
❐使用写禁用指令提供软件保护
❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护
■设备ID
❐制造商ID和产品ID
■低功耗
❐频率为40MHz时，有效电流为2.5mA
❐待机电流为150mA
❐睡眠模式电流为8mA
■工作电压较低：VDD=2.0V到3.6V
■工业温度范围：–40℃~+85℃
■封装
❐8引脚小外型集成电路（SOIC）封装
❐8引脚扁平无引脚（DFN）封装
■符合有害物质限制（RoHS）
封装引脚
https://www.sramsun.com/uploadfile/2021/0723/20210723103315990.jpg
FM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的，执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 赛普拉斯
页:
[1]