铁电存储器FRAM
铁电存储器称FRAM或FeRAM，FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。https://www.sramsun.com/uploadfile/2022/1025/20221025015249971.jpg FRAM结构图
FRAM技术特点：
非易失性：断电后数据不会丢失，是非易失性存储器；
读写速度快：无延时写入数据，可覆盖写入；
寿命长：可重复读写，重复次数可达到万亿次，耐久性强，使用寿命长；
功耗低：待机电流低，无需后备电池，无需采用充电泵电路；
可靠性高：兼容CMOS工艺，工作温度范围宽，可靠性高。
FRAM产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
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