60V转5V 3A加PD协议快充方案内置MOS芯片-AH8A50Q
AH8A50Q是一款内置MOS的高性能直流降压芯片，专为提供高效的快充方案而设计，能够将高电压的60V稳定地降压至5V，并提供最大达到3A的输出电流。此外，该芯片还支持PD（Power Delivery）协议，使其成为一种多功能的供电解决方案。AH8A50Q的高性能降压技术确保了设备能够得到恒定且高质量的5V电源供应。无论是智能手机、平板电脑还是其他5V设备，AH8A50Q都能提供稳定而高效的电源，满足各种应用需求。
该芯片内置了MOS管，可以有效地控制电压转换，提高效率，并降低损耗。同时，AH8A50Q还支持PD协议，可以根据设备的需求动态调整输出电压和电流，以实现更快的充电速度，为用户提供更便捷的充电体验。
除了高效性能，AH8A50Q还具备多重保护功能，包括过压保护、过流保护和短路保护。当输出电压或电流超出额定范围时，芯片会自动切断电路，防止设备受到损坏。在短路情况下，芯片也会及时切断电路，确保使用者和设备的安全。
AH8A50Q的设计注重高效节能。芯片的转换效率较高，能够最大限度地利用能量，降低能耗。在设备不需要快充时，芯片会自动进入低功耗模式，减少能耗，延长电池续航时间。
该芯片的封装形式小巧精致，便于集成到各种设备中。采用QFN封装，具有良好的热散性能和可靠性。用户只需将芯片连接到60V电源和设备的电源线路上，即可实现高效的快充方案，提供可靠的供电解决方案。
主要特性：
输入电压：9V~100V
电流：5A
效率高达96%
500µA静态工作电流
内置100V 20-mΩ高侧和低侧高压MOSFET
150 kHz固定频率
占空比高达91%
QFN-20封装
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