我们从2011年坚守至今,只想做存粹的技术论坛,记录你的技术足迹,有空就回来看看。  由于网站在外面,点击附件后可能要20秒才弹出下载,请耐心等待,勿重复点击

 找回密码
 立即注册
搜索
查看: 971|回复: 1

[资料贡献] Cyprss代理串行铁电存储器64Kbit FM25CL64B-GTR

[复制链接]

该用户从未签到

540

主题

20

回帖

0

积分

二级逆天

积分
0

终身成就奖

发表于 2021-5-19 16:38:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位,可使用行业标准的串行外围设备接口(SPI)总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优越写入性能,高耐用性和低功耗。


FM25CL64B-GTR是采用高级铁电工艺的64Kb非易失性存储器。
铁电存储器
或FRAM是非易失性的,并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存,EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性,开销和系统级可靠性问题。


与串行闪存和EEPROM不同,FM25CL64B-GTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后,立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有显着的写入耐久性。FM25CL64B-GTR铁电存储器能够支持1014个读/写周期,或比EEPROM多1亿倍的写周期。


这些功能使FM25CL64B-GTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集(可能是关键的写周期数)到要求苛刻的工业控制,在这些情况下,串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。


FM25CL64B-GTR为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的好处,可以作为硬件的替代产品。FM25CL64B-GTR使用高速SPI总线,从而增强了FRAM技术的高速写入能力。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。


耐力

FM25CL64B-GTR器件至少可以被访问1014次,可以进行读取或写入。
FRAM
存储器具有读取和还原机制。因此,对于存储阵列的每次访问(读取或写入),将按行施加耐久周期。FRAM体系结构基于1K行(每个64位)的行和列的阵列。一次读取或写入单个字节还是全部八个字节都将在内部访问整行。在耐久性计算中,该行中的每个字节仅被计数一次。一个64字节重复循环的耐久性计算,该循环包括一个操作码,一个起始地址和一个顺序的64字节数据流。这导致每个字节在循环中经历一个耐力周期
回复

使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2024-6-14 16:03
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    0

    主题

    1万

    回帖

    7618

    积分

    二级逆天

    积分
    7618

    终身成就奖特殊贡献奖原创先锋奖优秀斑竹奖

    QQ
    发表于 2021-5-19 17:20:09 | 显示全部楼层
    回复

    使用道具 举报

    您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

    本版积分规则

    Copyright ©2011-2024 NTpcb.com All Right Reserved.  Powered by Discuz! (NTpcb)

    本站信息均由会员发表,不代表NTpcb立场,如侵犯了您的权利请发帖投诉

    平平安安
    TOP
    快速回复 返回顶部 返回列表