使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案

英尚微电子 · 发表于 2022-1-12 17:10:38

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。

富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与

相同，TSOP封装与SRAM兼容。MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。

在快速页面模式下，FRAM能够运行到25ns，在连续数据传输时，其访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且降低了功耗。该FRAM的最大写入电流为18mA，比目前的产品低10%，最大待机电流为150µA，低50%。

在某些情况下可以省去SRAM所需的数据备份电池。

的FRAM产品可以解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的以下问题：

问题：更改接口设计和PCB设计的额外工作

解决方案：使用与SRAM接口和SRAM封装兼容的FRAM

问题：难以用写入速度非常慢的非易失性存储器替代

解决方案：使用具有快速写入操作的

，页面模式下最大25ns

问题：写入寿命高达10万亿次导致设计限制

解决方案：使用写入寿命高达100万亿次的FRAM

kekgn · 发表于 2022-1-13 06:27:10

bidezhi7777 · 发表于 2022-1-13 08:09:51

yongwuzhijing · 发表于 2022-1-13 08:38:42

00000845 · 发表于 2022-1-13 08:39:26

dearzhang · 发表于 2022-1-13 08:54:41

minghuang · 发表于 2022-1-13 08:55:27

谢谢分享

infowei · 发表于 2022-1-13 08:56:59

mj8abcd · 发表于 2022-1-13 16:19:58

h09721 · 发表于 2022-2-11 08:47:31

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