netsol代理4Mb低功耗SRAM存储器S6L4008W1M

英尚微电子

Netsol是一家位于韩国的无厂内存半导体设计公司，目前的产品有异步快速SRAM、低功耗SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。主要客户群是工业、商业和通信，以高速、低延迟和低功耗内存设计技术而闻名。

netsol

器件采用6-TR单元先进的CMOS工艺技术制造，专为低功率电路技术而设计，S6L4008W1M SRAM是一款容量为4Mb的高速SRAM，位宽8*512K。适用于低数据保持电流的电池备份应用。

S6L4008W1M快速访问时间为45、55、最大70ns，待机电流2A，最大10A。宽范围或单5.0V电源，具备完全静态操作和三态输出，无需时钟或刷新，可在商业和工业温度范围内工作。封装采用32SOP、32sTSOP1和32TSOP2。欢迎垂询代理RAMSUM.

low power sram低功耗SRAM存储器是作为静态随机访问存储器的一种类别，

SRAM

作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品。

netsol 4Mb

Density	Org.	Part Number	Voltage	Option	Speed	Package Type
4M bit	256Kx16	S6L4016W1M	2.3~3.6v	1C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	256Kx16	S6L4016W2M	2.3~3.6v	2C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	256Kx16	S6L4016C1M	5V	1C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	256Kx16	S6L4016C2M	5V	2C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	512Kx8	S6L4008W1M	2.3~3.6v	1C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1
4M bit	512Kx8	S6L4008W2M	2.3~3.6v	2C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1
4M bit	512Kx8	S6L4008C1M	2.7~3.6V	1C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1
4M bit	512Kx8	S6L4008C2M	5V	1C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1