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红外信号的隔离电路

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  • TA的每日心情
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    3 天前
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    发表于 2015-4-17 15:23:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    关于红外信号的隔离电路,该电路为低成本应用电路,缺点是低电平非零(为肖特基二极管的正向压降0.3V),分析如下:

    wpsEB.tmp(04-17-(04-17-12-59-04).jpg
    如上图:

    1.正常工作时(非待机状态),VDD-MCU及VDD-CPU同时供电,且电压相同,此时IR_out(高电平)=IR IN(高电平) , IR_out(低电平)=UD1=0.3V,符合标准接口电平需求,IR信号交由主芯片处理,R1、R2为偏置电阻,R1同时为IR信号接口提供上拉电流,R1、R2取值可为1K至10K欧姆。
    2.待机状态下:主芯片断电,VDD-CPU=0V,IR_out被强制置低,二极管处于反向偏置状态,隔离主芯片端对IR IN信号的影响。此时,IR IN直接送入待机管理芯片,进行相应的控制管理。
    3.为减少二极管正向偏压对IR_Out正常状态下低电平的影响,可采用正向压降小的肖特基二极管或锗类二极管,也可以是任何此类常用小信号二极管。如IN5817或MA700
    正常工作状态下,IR_Out正常输出,IR信号送入主芯片进行控制管理;待机状态,本电路隔离IR_Out因接口断电的影响。IR信号直接送入待机管理芯片进行相应的控制管理。

    谁有更好的解决方案吗???
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    发表于 2015-4-17 20:47:57 | 显示全部楼层
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    发表于 2015-4-18 12:15:54 | 显示全部楼层
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    发表于 2015-4-22 08:11:44 | 显示全部楼层
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    发表于 2015-6-15 12:13:39 | 显示全部楼层
    这个电路与我昨天设计的一样的啊!
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